Новая технология изготовления памяти с изменяемым фазовым состоянием

Специалисты экспериментировали с так называемой памятью с изменяемым фазовым состоянием (PCM, или PRAM). Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей.

Исследователи (см. их на фото), проводившие работы под руководством профессора Эрика Попа, предлагают применять вместо металлических соединений углеродные нанотрубки. Это, как утверждается, позволит снизить энергопотребление РСМ-памяти в 100 раз по сравнению с существующими аналогами.

Кроме того, углеродные нанотрубки теоретически позволят улучшить другие характеристики микросхем, в частности, поднять их быстродействие, повысить срок службы и сделать менее подверженными к случайной утере данных.

Впрочем, исследования ещё не завершены: учёные рассчитывают увеличить плотность хранения информации и добиться ещё большего снижения энергопотребления.

Подготовлено по материалам Университета Иллинойса.