Существование полостей в полупроводниках приводит к резкому увеличению удельной площади поверхности, изменяет теплопроводность и другие физические свойства материала
Область применения полупроводника значительно расширяется при создании в нём пористой структуры. Существование полостей приводит к резкому увеличению удельной площади поверхности, изменяет теплопроводность и другие физические свойства материала. Наиболее активно сегодня применяется пористый кремний (например, как изолятор в микроэлектронике), а следующий перспективный кандидат – это пористый карбид кремния. Предполагается, что он позволит создать ряд новых оптоэлектронных приборов: эффективные фотоприёмники ультрафиолетового диапазона, светоизлучающие диоды и лазеры.
Подробнее → ЭЛЕКТРОНИКА